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SED显示技术SED的基本显示原理与CRT相同。它是由电子与荧光材料碰撞引起的，但电子碰撞的方式是不同的。
CRT管是从电子枪发射的电子束，其在偏转系统的强磁场下偏离原始方向，并依次轰击荧光材料。 SED是涂有荧光材料的玻璃板和涂有大量微电子发射器的玻璃基板的平行排列，即电子枪。
大量微电子发射器类似于液晶或等离子显示器的像素。 SED显示的关键是微型电子发射器之间的差距。
这个间隙只有几纳米宽。在施加电压的情况下，发生隧穿，使得发射器发射电子，并且电子在电压的作用下与荧光材料碰撞。
容光焕发。由于SED显示器不需要发射电子束，因此可以使厚度相对较薄，并且当前公开的测试模型的厚度比液晶和等离子显示器的厚度薄。
（1）电子冲击荧光粉是一种自发光装置，没有问题，液晶显示器视角不足，响应时间长; （2）光是完全可控的，液晶显示器没有背光泄漏或等离子显示。预排放问题，黑色表现大大提高; （3）发光效率可达5lm / W，仅消耗相同规格的等离子体和液晶显示器的一半; （4）与普通电视显像管粉末相同的高压荧光可以比PDP和LCD获得更好的色彩饱和度和更清晰的图像; （5）该装置基本上是扁平结构，可以通过印刷工艺完全生产，因此生产成本可以比PDP和LCD低得多。
用带电粒子轰击荧光粉也是如此，但SED产生电子的原理与CRT显示器有很大不同。 CRT的电子枪加热金属阴极使其表面活性，产生活性电子，然后利用阳极将电子拉出阴极，并使用偏转线圈同时扫描电子束的水平和垂直方向。
屏幕。生成完整的图片。
相比之下，SED不仅没有扫描设备，还有电子产生的方式。 SED屏幕上的每个像素都有自己的电子发射器件（阴极）。
该电子发射器件实际上是碳纳米间隙，宽度约为5nm（纳米）。由于间隙宽度非常小，所以可以通过在间隙上施加大约10伏的电压来产生电子电流（这与闪存芯片中的存储器单元的充电和放电原理相同，并且被称为“FN”。
隧道效应“）。此时，如果正电压施加到金属背板（阳极）并且在阴极和阴极之间形成电场，则电子电流将在电场力的作用下从间隙中逸出，急于阳极，轰击荧光粉，并发出荧光。
CRT的图像质量和平板电视的厚度使SED最有可能成为下一代显示器。佳能和东芝在SED的形成上投入了大量资金，这也表明了SED的光明前景。
两家公司希望2005年SED产品的月产量将达到3,000，并将在2008年增加到180万/年，2010年将达到300万/年。预计2007年的收入将达到300亿日元，2010年它将增加到2000亿日元。
根据DisplaySearch市场研究公司最近的一项调查显示，平板显示器市场的收入将从2003年的427亿美元增加到2008年的972亿美元。尽管SED在理论和原型上展示的图像比液晶和等离子，很难说SED已经完全达到了生产水平。
此外，液晶逐渐稳定其在中小型市场中的各自位置以及大尺寸市场中的等离子体。与此同时，液晶和等离子的价格正在迅速下降，SED能否普及，取决于它是否有足够的能力与前两者竞争。
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