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同步整流降压转换器的损耗是多少？你知道吗？本文开始讨论同步整流降压转换器的损耗。
首先，让我们看一下同步整流器降压转换器中发生损耗的部分。
然后，将讨论每个部分的损失。
以下是同步整流降压转换器的电路图和损耗位置。
关于发生位置，用红色缩写表示。
PONH是当高端MOSFET导通时由导通电阻引起的导通损耗，也称为“导通损耗”。
PONL是低端MOSFET导通时由导通电阻引起的导通损耗。
PSWH是MOSFET的开关损耗。
Pdead_time是空载时间损失。
当高端MOSFET和低端MOSFET同时导通时，VIN和GND处于接近短路的状态，并且称为“直通电流”的过电流会流过。
流。
为了避免这种情况，几乎所有的控制器IC都有一点时间关闭高端和低端通/断开关。
这是“死时间”。
出于安全原因，需要停滞时间，但这会造成损失。
PIC是电源IC（此处为带有外部功率晶体管的同步整流降压转换器的控制器IC）的电源电流。
基本上，IC自身消耗的电流就是其自身消耗的电流。
PGATE是外部MOSFET的栅极电荷损耗。
原则上，MOSFET的栅极不流过电流，但是需要用于驱动栅极电容的电荷，这将成为损耗。
需要同时考虑高端和低端。
PCOIL是由输出电感器的DCR和DC电阻引起的传导损耗。
将这些损耗加在一起就是同步整流降压转换器的损耗。
总损耗P = PONH + PONL + PSWH + Pdead_TIme + PIC + PGATE + PCOILONH：高侧MOSFET处于ONL时导通电阻引起的导通损耗：低侧MOSFET处于SWH时导通电阻引起的导通损耗：开关损耗dead_TIme：死区时间损耗IC：自身功率损耗GATE：栅极电荷损耗COIL：由电感器DCR引起的传导损耗。
要点：・同步整流降压转换器的损耗是各部分损耗的总和。
以上是同步整流降压转换器的损耗分析，希望对您有所帮助。
