以NMOS为例，仅使用万用表的二极管文件来测量MOS管的质量

今天的文章内容非常简单简短，但是非常实用。

以NMOS为例，仅使用万用表的二极管文件来测量MOS管的质量。

NMOS的D极和S极之间有一个寄生二极管，方向是从S到D。

使用二极管的单向电导率和MOS管导通时寄生二极管的截止特性，可以快速测量MOS的质量。

1.在测量之前，将MOS的3极短路，可以使用铁丝将MOS管的内部电荷放电，并确认MOS管已关闭。

短路电荷以确保MOS被切断。

2.将万用表调整到二极管位置。

将红色测试导线连接到MOS的S极，将黑色测试导线连接到D极。

此时，寄生二极管处于导通状态，万用表将显示电压值，通常在0.4V〜0.9V之间（不同的MOS会有所不同）。

3.将黑色测试线连接到S极，将红色测试线连接到D极。

寄生二极管处于截止状态，万用表将显示1，这等效于开路。

步骤2和步骤3均在万用表上显示了一定的电压值，这意味着MOS晶体管D和S已击穿并损坏。

第二步和第三步中的万用表显示为1，这意味着MOS管的寄生二极管被开路损坏。

4.万用表的红色测试导线和黑色测试导线之间有一定的电压。

您可以将红色测试导线连接到MOS管的G极，将黑色测试导线连接到S极，并保持一段时间（对Cgs电容器充电以确保MOS具有一定的导电性。

然后重复步骤3，万用表也会显示电压值，但是接近于0，因为DS会打开寄生二极管以将其截止5.重复第一步以释放电荷并使NMOS处于截止状态-断开状态，然后重复第三步，万用表再次显示1，这意味着寄生二极管被切断了6.将万用表置于蜂鸣器或电阻位置，将红色测试引线连接到MOS的G极，黑色测试通向S极，蜂鸣器不鸣，GS阻抗较大，说明GS无击穿损坏。