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光电晶体管

1.暗电流ID当没有光时,当集电极和发射极之间的电压是预定值时,流过集电极的反向漏电流称为光电晶体管的暗电流。

2.光电流IL当在规定的照度下施加规定的工作电压时,流过光电晶体管的电流称为光电流。

光电流越大,光电晶体管的灵敏度越高。

3.集电极 - 发射极击穿电压VcE当集电极电流Ic在没有发光的情况下是规定值时,集电极和发射极之间的电压降称为集电极 - 发射极击穿电压。

4.最大工作电压RM当没有照明时集电极电流Ic在规定的允许值范围内时,集电极和发射极两端的电压降称为最大工作电压。

5.最大功率PM最大功率是指光电晶体管在特定条件下可承受的最大功率。

6.峰值波长λP当光电晶体管的光谱响应最大时,相应的波长称为峰值波长。

7.光电灵敏度当给定波长的人输入光输入单元是光功率时,光电晶体管芯的每单位面积的光电流输出的强度称为光电灵敏度。

8.响应时间响应时间是指光电晶体管对入射光信号的响应速度,通常是这样。

9.开关时间1脉冲上升时间tζ:光电晶体管在指定的工作条件下调节输入脉冲光,使光电晶体管将相应的脉冲电流输出到指定值,输出脉冲前沿振幅为10 [%] - 90 [%]所需时间。

2脉冲下降时间tt:输出脉冲后沿幅度90 [%] - 10 [%]所需的时间。

3脉冲延迟时间td:从输入光脉冲开始到输出电脉冲前沿的10 [%]所需的时间。

4脉冲存储时间ts:输入光脉冲结束后输出电脉冲下降到脉冲幅度的90 [%]所需的时间。

温度对光电晶体管的暗电流和光电流有影响。

由于光电流远大于暗电流,因此温度对光电流的影响小于在一定温度范围内对暗电流的影响。

曲线图和曲线图分别显示了光电晶体管的温度特性曲线以及光电晶体管的相对灵敏度和温度。

图:光电晶体管的温度特性曲线:详细介绍了光电晶体管的灵敏度与温度之间的关系。

通过红外探测器和烟雾报警电路引入光电晶体管的详细用途。

1.主要使用红外探测器红外探测器。

用于检测红外遥控发射装置是否正常工作。

红外探测器的电路如图所示。

当红外遥控发射装置发射的红外光照射到光电晶体管VT1时,内部电阻减小,驱动VT2导通,从而发光二极管VD1以人体光的节奏照射。

由于发光二极管VD1的亮度取决于入射在光电晶体管VT1上的红外光的强度,因此可以从发光二极管VD1的发光亮度估计出红外发光二极管上的电池设备可以继续使用。

2.烟雾报警器烟雾报警器由一系列由红外发光管和光电晶体管组成的反馈光敏电路,半导体管开关电路和集成报警电路组成,如图所示。

当被监控环境清洁且无烟雾时,红外发光二极管VD1以预先调节的初始电流发光。

在光电晶体管VT1接收到红外光之后,内部电阻减小,使得VD1和VT1系列电路中的电流增加,红外发光二极管VD1的发光强度相应增加,并且内部电阻增大。

光电晶体管进一步减少。

该循环形成强烈的正反馈过程,直到串联光敏电路中的电流达到最大值。

R1上产生的压降通过VD2导通VT2,VT3关闭,报警电路不工作。

当被监视环境中的烟雾急剧增加时,空气中的透光率变差。

此时,由光电晶体管VT1接收的光通量减小,内部电阻增加,并且串联光敏电路中的电流也减小。

二极管VD1的发光强度也降低。

该循环形成负反馈过程,使串联光敏电路中的电流降至初始电流值,R1上的电压也降至1.2V,VT2关断,VT3导通,报警电路正在工作,并发出警报。

信号。

C1设置为防止短期烟雾的干扰。

光电晶体管与二极管的不同之处在于它具有两个彼此相对连接的PN结。

与普通三极管类似,它也具有电流增益。

该图显示了NPN型光刻蓝色管的结构。

需要指出的是,由于光电晶体管不需要电参数控制,一般没有基极引出线,只有集电极C和发射极e的两个引脚,形状和光电二极管非常相似,它很难区分,有必要仔细看。

清除外壳边缘的类型以避免混淆。

有时为了增加电压放大系数,制造商在一个芯片中制作光电晶体管和另一个普通二极管,并将其连接成复合管形式,称为达林顿型光电晶体管。

它的电压放大很高(β=βlβ2),并允许输出大电流,即电流放大系数也很高(α=α1α2)。

然而,达林顿型光电晶体管具有大的暗电流,严重的非线性,大的温度漂移和差的抗干扰能力,并且必须增加电路中的抑制环路才能正常工作。



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