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1972年，“光刻掩模制造”（Making of Lithography Masks）面世。
由武汉第三无线电元件厂编写的32页和66页的书证实，中国的芯片光刻工艺研究的起步时间比美国晚一些，与日本大约同时开始，早于台湾地区和台湾地区。
韩国。
10年了。
1972年，武汉第三无线电元件厂于1964年由中国科学院研制出65型接触式光刻机。
1970年代，中国科学院开始开发计算机辅助光刻掩模工艺。
清华大学开发了第四代分段投影光刻机，1980年获得成功，光刻精度达到3微米，已接近国际主流水平。
那时，光刻机巨头ASML尚未诞生。
但是，中国在1980年代放弃了电子工业，导致20年的技术积累被彻底摧毁。
1994年，武汉第三无线电元件厂破产倒闭，改制并销售副食品。
我国光刻机的发展历史1965年，中国科学院研制出65型接触式光刻机。
1970年代，中国科学院开始开发计算机辅助光刻掩模工艺。
1972年，武汉第三无线电元件厂编辑了《光刻掩模的制造》。
1977年，我国最早的光刻机-GK-3半自动光刻机诞生了，它是接触式光刻机。
1978年，1445年在GK-3的基础上开发了GK-4，但仍没有摆脱接触光刻机的发展。
1980年，清华大学成功开发了第四代分步投影光刻机。
光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。
1981年，中国科学院半导体研究所成功开发了JK-1型半自动接近式光刻机。
1982年，美国科学院第109厂的KHA-75-1光刻机，当时的水平并不低，最保守的估计最多不到4年。
当时的高级佳能。
1985年，第45届机电工程研究所开发了一种逐步光刻机原型，该原型机通过了电子部的技术鉴定，并认为在美国达到了4800DSW的水平。
这应该是中国第一台逐步投影光刻机，中外逐步光刻之间的差距不超过7年。
但是令人遗憾的是，光刻机的研究和开发已经达到了这一点，并且中国已经开始大规模引进外资，其思路是``买得比做得好''。
光刻技术和工业化停滞了。
放弃电子行业的独立研究，诸如光刻机之类的技术计划被迫取消。
自1990年代以来，光刻光源一直停留在193纳米处，并且已经20多年没有发展。
这项技术非常关键，这直接导致了获得如此强大的ASML的关键。
直到21世纪，中国才刚刚启动193nm ArF光刻机项目，该项目比ASML落后了20多年。
在21世纪，光刻机的研发再次受到国家的重视，2002年成立了SMEE（上海微电子）。
不少于原始研究。
原子弹”。
2002年，新成立的上海微机电设备有限公司承担了“第十个五年计划”。
光刻机研究项目。
中国电力科学研究院第四十五研究所将以前从事步进式投影光刻机的团队移至上海参加该项目。
在2008年，“极大规模集成电路制造设备和完整工艺”问世。
该项目将ASML的EUV技术列为下一代光刻技术的主要研究方向。
该国计划在2030年实现EUV光刻机的本地化； 2015年4月，北京华卓精密技术有限公司的“ 65nmArF干式光刻机双工件”问世。
通过了整机的详细设计审查，并具备调试条件。
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2016年，上海微电子已批量生产了三台分别为90 nm，110 nm和280 nm的光刻机。
2017年6月21日，“极紫外光刻技术的关键技术”发布。
由长春研究院牵头
