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半导体激光器通常也称为半导体模块。
工作原理是，通过一定的激发方法，在半导体材料的能带（导带和价带）之间，或半导体材料的能带和杂质水平（受体或供体）之间，实现了不平衡负载。
流动的颗粒数量相反。
当重新组合颗粒数量状态的大量电子和空穴时，产生激发发射。
半导体激光器的激发有三种主要类型，即电注入型，光泵型和高能量。
电子束激发型。
电喷雾半导体激光器，通常是由诸如GaAS（砷化镓），InAS（砷化铟），Insb（铟铋）等材料制成的半导体结型二极管。
注入激发电流，在结平面区域产生受激发射。
光泵半导体激光器，一般采用N型或P型半导体单晶（如GaAS，InAs，InSb等）作为工作物质，采用激光器从其他激光器中激光泵浦。
高能电子束激发半导体激光器通常用作N型或P型半导体单晶（如PbS，CdS，ZhO等）作为工作物质，由外部注入的高能电子束激发。
在半导体激光器件中，电流性能更好，应用更好。
广泛使用的是具有双异质结构的电子注入GaAs二极管激光器。
半导体光电子器件的工作波长与用于制造器件的半导体材料的类型有关。
在半导体材料中存在导带和价带。
导带允许电子自由移动，而价带允许空穴自由移动。
导带和价带由禁带隔开。
当电子吸收光的能量时。
当价带跳入导带时，光的能量转化为电能，带电能的电子从导带跃回到价带，电能转化为光。
宽度决定了光电器件的工作波长。
材料科学的发展使我们能够使用带工程来执行各种复杂的半导体材料切割，以满足我们的各种需求，为我们做更多的工作，以及与半导体光电器件一起工作。
波长突破了材料的禁带宽度范围到更宽的范围。
半导体模块的工作原理是激励模式。
半导体材料（使用电子）用于在能带之间跳跃，并且半导体晶体的解理面用于形成两个平行的镜面作为镜子以形成谐振腔，从而使光振荡，反馈，辐射产生光的光被放大，激光输出。
半导体模块激光器具有体积小，重量轻，运行可靠，功耗低，效率高等优点。
半导体模块激光器的功率范围从几瓦到几千瓦。
激光打标机通常用于50W，75W，100W半导体模块。
几瓦通常用于端泵浦半导体模块。
具有最高20W激光的腔可以分为腔和外腔。
在腔体中，存在许多类型的激光损耗，例如偏转损耗。
法布里珀罗腔具有较大的偏转损耗，而共焦腔具有较小的偏转损耗，适用于低功率连续输出激光器。
例如，倒置粒子的非辐射跃迁损耗（这种损失可归类为白噪声）等是腔的长而大的损失。
激光阈值电流只是可以使激光器开始振动的电流。
谐振腔的长度之间的差异可以使阈值电流不同。
在半导体激光器中，边缘发射激光器具有较长的腔长度和较大的阈值电流，而垂直腔表面发射。
激光腔长度极短，阈值电流非常低。
这些在一两句话中都不清楚。
它们各自的速率方程也不同，没有一两个表达式可以解释。
另外，还可以选择腔的长度以用作模式选择，即，输出激光的频率不同。
半导体激光器的常用参数可分为：波长，阈值电流Ith，工作电流Iop，垂直发散角θ⊥，水平发散角θ∥，监测电流Im。
（1）波长：激光管的工作波长。
目前可用于光电转换的激光管的波长为635nm，650nm，670nm，激光二极管690nm，780nm，810nm，860nm，980nm等。
（2）阈值电流Ith：即激光管开始产生激光振荡的电流。
对于一般的低功率激光管，该值约为几十毫安，具有应变多量子阱结构的激光管的阈值电流可低至10mA。
下列。
（3）工作电流Iop：激光管达到额定输出功率时的驱动电流。
该值对于激光器驱动电路的设计和调试很重要。
（4）垂直发散角θ⊥：激光二极管的照射带在垂直PN结方向上打开的角度，一般在15到40左右。
（5）水平发散角θ∥：角度激光二极管的照射带在平行于PN结的方向上打开，一般约为6到10.（6）监视电流Im：当激光管处于额定输出功率时流过PIN管的电流。
激光二极管广泛用于小功率光电器件，如计算机打印机中的光盘驱动器，激光打印机中的打印头，条形码扫描仪，激光测距，激光医疗，光通信，激光指示器等，舞台照明，激光手术。
还使用了诸如激光焊接和激光武器的高功率装置。
